Антава

VISHAY

Транзистор IRF9610SPBF

IRF9610SPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-1 A
Pulsed drain current
-7 A
Рассеиваемая мощность
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF9610SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-1 A
Pulsed drain current-7 A
Рассеиваемая мощность20 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W

Документация

Документы пока не предоставлены.