Антава

VISHAY

Транзистор IRF9530SPBF

IRF9530SPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-8.2 A
Pulsed drain current
-48 A
Power dissipation
88 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF9530SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-8.2 A
Pulsed drain current-48 A
Power dissipation88 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W

Документация

Документ производителя