Антава

INFINEON

Транзистор IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-14 A
Power dissipation
3.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF9530NSTRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-14 A
Power dissipation3.8 W
КорпусD2PAK
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK

Документация

Документ производителя