Антава

INFINEON

Транзистор IRF9530NPBF

IRF9530NPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-14 A
Power dissipation
79 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF9530NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-14 A
Power dissipation79 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB

Документация

Документ производителя