Антава

VISHAY

Транзистор IRF9510SPBF

IRF9510SPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-4 A
Pulsed drain current
-16 A
Power dissipation
43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF9510SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-4 A
Pulsed drain current-16 A
Power dissipation43 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W

Документация

Документ производителя