VISHAY
Транзистор IRF9510PBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -4 A
- Pulsed drain current
- -16 A
- Power dissipation
- 43 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 123 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%193,75 ₽
Сумма · с НДС 22%193,75 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 193,75 ₽ | |
| от 10 | 169,62 ₽ | |
| от 50 | 139,04 ₽ | |
| от 100 | 125,94 ₽ | |
| от 250 | 108,46 ₽ | |
| от 500 | 98,58 ₽ | |
| от 1000 | 90,61 ₽ | |
| от 2000 | 84,15 ₽ | |
| от 5000 | 77,50 ₽ | |
| от 10000 | 73,51 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF9510PBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -4 A |
| Pulsed drain current | -16 A |
| Power dissipation | 43 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.2 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 8.7nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.