Антава

INFINEON

Транзистор IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
6.8/-4.6 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF9389TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current6.8/-4.6 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27/64 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8

Документация

Документ производителя