Антава

VISHAY

Транзистор IRF840SPBF

IRF840SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5.1 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF840SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5.1 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W

Документация

Документ производителя