VISHAY
Радиатор IRF840LCPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 5.1 A
- Pulsed drain current
- 28 A
- Power dissipation
- 125 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 482 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%536,55 ₽
Сумма · с НДС 22%536,55 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 536,55 ₽ | |
| от 10 | 347,51 ₽ | |
| от 25 | 303,60 ₽ | |
| от 50 | 273,05 ₽ | |
| от 100 | 250,13 ₽ | |
| от 250 | 223,40 ₽ | |
| от 500 | 210,04 ₽ | |
| от 1000 | 196,67 ₽ | |
| от 2000 | 185,21 ₽ | |
| от 5000 | 173,76 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF840LCPBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 5.1 A |
| Pulsed drain current | 28 A |
| Power dissipation | 125 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.85 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 39nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Heatsink thickness | 1.14...1.4mm |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.