Антава

VISHAY

Радиатор IRF840LCPBF

IRF840LCPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5.1 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
125 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 482 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%536,55 ₽

Сумма · с НДС 22%536,55 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1536,55 ₽
от 10347,51 ₽
от 25303,60 ₽
от 50273,05 ₽
от 100250,13 ₽
от 250223,40 ₽
от 500210,04 ₽
от 1000196,67 ₽
от 2000185,21 ₽
от 5000173,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF840LCPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5.1 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя