Антава

VISHAY

Транзистор IRF840APBF

IRF840APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5.1 A
Pulsed drain current
32 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 270 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%491,93 ₽

Сумма · с НДС 22%491,93 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1491,93 ₽
от 10329,76 ₽
от 50279,30 ₽
от 100259,48 ₽
от 250237,86 ₽
от 500225,24 ₽
от 750218,04 ₽
от 1000216,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF840APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5.1 A
Pulsed drain current32 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя