Антава

VISHAY

Транзистор IRF830SPBF

IRF830SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
2.9A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
74W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF830SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current2.9A
Pulsed drain current18A
Power dissipation74W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W

Документация

Документ производителя