Антава

VISHAY

Транзистор IRF830BPBF

IRF830BPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
5.3A
Pulsed drain current
10A
Power dissipation
104W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF830BPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current5.3A
Pulsed drain current10A
Power dissipation104W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.