Антава

VISHAY

Транзистор IRF830APBF

IRF830APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 713 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%449,98 ₽

Сумма · с НДС 22%449,98 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1449,98 ₽
от 10309,08 ₽
от 50257,02 ₽
от 100235,10 ₽
от 250206,50 ₽
от 500184,95 ₽
от 1000163,59 ₽
от 2000141,86 ₽
от 5000113,45 ₽
от 6250106,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF830APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation74 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB

Документация

Документ производителя