Антава

VISHAY

Транзистор IRF830ALPBF

IRF830ALPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
5A
Pulsed drain current
20A
Power dissipation
74W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF830ALPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current5A
Pulsed drain current20A
Power dissipation74W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262

Документация

Документы пока не предоставлены.