Антава

VISHAY

Транзистор IRF820PBF

IRF820PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
2.5A
Pulsed drain current
8A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF820PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current2.5A
Pulsed drain current8A
Power dissipation50W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB

Документация

Документ производителя