Антава

VISHAY

Транзистор IRF820ASPBF

IRF820ASPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2.5 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF820ASPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2.5 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W

Документация

Документы пока не предоставлены.