Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IRF8010PBF

IRF8010PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
80A
Power dissipation
260W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF8010PBF
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current80A
Power dissipation260W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge81nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB

Документация

Документ производителя