Антава

INFINEON

Транзистор IRF8010PBF

IRF8010PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
260 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 206 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%449,03 ₽

Сумма · с НДС 22%449,03 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1449,03 ₽
от 10283,12 ₽
от 50225,42 ₽
от 100203,78 ₽
от 500156,89 ₽
от 1000144,27 ₽
от 2000142,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF8010PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность260 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge81nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB

Документация

Документ производителя