INFINEON
Транзистор IRF7853TRPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 8.3 A
- Рассеиваемая мощность
- 2.5 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 348 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%415,87 ₽
Сумма · с НДС 22%415,87 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 415,87 ₽ | |
| от 10 | 228,09 ₽ | |
| от 50 | 193,28 ₽ | |
| от 100 | 179,72 ₽ | |
| от 500 | 150,59 ₽ | |
| от 1000 | 138,50 ₽ | |
| от 2000 | 127,33 ₽ | |
| от 4000 | 116,33 ₽ | |
| от 8000 | 105,71 ₽ | |
| от 12000 | 100,03 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF7853TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 8.3 A |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.