Антава

INFINEON

Транзистор IRF7389TRPBF

IRF7389TRPBF
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
7.3/-5.3 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF7389TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current7.3/-5.3 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance29/58 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя