Антава

INFINEON

Транзистор IRF7379TRPBF

IRF7379TRPBF
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
5.8/-4.3 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF7379TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current5.8/-4.3 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance45/90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя