INFINEON
Транзистор IRF7351TRPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 8 A
- Power dissipation
- 2 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 618 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%428,21 ₽
Сумма · с НДС 22%428,21 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 428,21 ₽ | |
| от 5 | 267,11 ₽ | |
| от 10 | 242,78 ₽ | |
| от 50 | 197,69 ₽ | |
| от 100 | 180,34 ₽ | |
| от 500 | 145,44 ₽ | |
| от 1000 | 136,20 ₽ | |
| от 2000 | 127,14 ₽ | |
| от 4000 | 118,47 ₽ | |
| от 12000 | 105,45 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF7351TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 8 A |
| Power dissipation | 2 W |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.