Антава

INFINEON

Транзистор IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
4/-3 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF7309TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current4/-3 A
Power dissipation1.4 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.05/0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8

Документация

Документ производителя