INFINEON
Транзистор IRF7306TRPBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -30 V
- Drain current
- -3.6 A
- Рассеиваемая мощность
- 2 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 573 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%249,07 ₽
Сумма · с НДС 22%249,07 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 249,07 ₽ | |
| от 10 | 135,00 ₽ | |
| от 50 | 111,90 ₽ | |
| от 100 | 102,88 ₽ | |
| от 500 | 83,93 ₽ | |
| от 1000 | 76,17 ₽ | |
| от 2000 | 68,77 ₽ | |
| от 4000 | 62,81 ₽ | |
| от 8000 | 60,64 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF7306TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30 V |
| Drain current | -3.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.