Антава

VISHAY

Транзистор IRF710SPBF

IRF710SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
400V
Drain current
1.2A
Pulsed drain current
6A
Power dissipation
36W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF710SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage400V
Drain current1.2A
Pulsed drain current6A
Power dissipation36W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W

Документация

Документ производителя