INFINEON
Транзистор IRF7105TRPBF
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 25/-25 V
- Drain current
- 3.5/-2.3 A
- Power dissipation
- 2 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 569 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%182,35 ₽
Сумма · с НДС 22%182,35 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 182,35 ₽ | |
| от 10 | 56,03 ₽ | |
| от 500 | 47,87 ₽ | |
| от 4000 | 37,04 ₽ | |
| от 16000 | 33,62 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF7105TRPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 25/-25 V |
| Drain current | 3.5/-2.3 A |
| Power dissipation | 2 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.1/0.25 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.