Антава

VISHAY

Транзистор IRF644SPBF

IRF644SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
8.5 A
Pulsed drain current
56 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 302 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%835,30 ₽

Сумма · с НДС 22%835,30 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1835,30 ₽
от 10592,79 ₽
от 50422,14 ₽
от 100366,45 ₽
от 250312,56 ₽
от 500285,62 ₽
от 1000262,26 ₽
от 1250258,67 ₽
от 2000247,89 ₽
от 5000231,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF644SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current8.5 A
Pulsed drain current56 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W

Документация

Документ производителя