Антава

VISHAY

Транзистор IRF640PBF

IRF640PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
11A
Pulsed drain current
72A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF640PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current11A
Pulsed drain current72A
Power dissipation125W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.18Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя