Антава

INFINEON

Транзистор IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 803 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%395,19 ₽

Сумма · с НДС 22%395,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1395,19 ₽
от 10227,78 ₽
от 50179,09 ₽
от 100158,26 ₽
от 500124,31 ₽
от 800116,58 ₽
от 1600104,19 ₽
от 240096,64 ₽
от 400091,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF640NSTRLPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current18 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK

Документация

Документ производителя