Антава

INFINEON

Транзистор IRF640NPBF

IRF640NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
18 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF640NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current18 A
Power dissipation150 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge44.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB

Документация

Документ производителя