Антава

VISHAY

Транзистор IRF630SPBF

IRF630SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
5.7A
Pulsed drain current
36A
Power dissipation
74W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF630SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current5.7A
Pulsed drain current36A
Power dissipation74W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W

Документация

Документ производителя