Антава

INFINEON

Транзистор IRF630NPBF

IRF630NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
9.5 A
Рассеиваемая мощность
82 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 262 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%210,99 ₽

Сумма · с НДС 22%210,99 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1210,99 ₽
от 10147,15 ₽
от 25128,04 ₽
от 50115,05 ₽
от 100102,79 ₽
от 25087,64 ₽
от 50077,00 ₽
от 100066,90 ₽
от 200063,48 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF630NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current9.5 A
Рассеиваемая мощность82 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB

Документация

Документ производителя