Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор IRF630

IRF630
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MESH OVERLAY™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
5.7 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 696 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%328,08 ₽

Сумма · с НДС 22%328,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1328,08 ₽
от 10251,41 ₽
от 25217,12 ₽
от 50193,35 ₽
от 100172,34 ₽
от 250148,74 ₽
от 500133,63 ₽
от 1000120,36 ₽
от 2000109,12 ₽
от 1000088,47 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF630
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMESH OVERLAY™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current5.7 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W

Документация

Документ производителя