Антава

VISHAY

Транзистор IRF620PBF

IRF620PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
5.2A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF620PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current5.2A
Pulsed drain current18A
Power dissipation50W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge14nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB

Документация

Документ производителя