Антава

VISHAY

Транзистор IRF610STRRPBF

IRF610STRRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
3.3 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF610STRRPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current3.3 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation36 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W

Документация

Документы пока не предоставлены.