Антава

VISHAY

Транзистор IRF610PBF

IRF610PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
3.3A
Pulsed drain current
10A
Power dissipation
36W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF610PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current3.3A
Pulsed drain current10A
Power dissipation36W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge8.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB

Документация

Документ производителя