Антава

INFINEON

Транзистор IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-3.4 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF5803TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-3.4 A
Power dissipation1.3 W
КорпусTSOP6
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6

Документация

Документ производителя