Антава

INFINEON

Транзистор IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
0.9 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 774 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%138,70 ₽

Сумма · с НДС 22%138,70 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1138,70 ₽
от 1082,10 ₽
от 10056,04 ₽
от 25048,17 ₽
от 50042,92 ₽
от 100038,05 ₽
от 300032,43 ₽
от 600031,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF5802TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current0.9 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусTSOP6
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6

Документация

Документ производителя