Антава

INFINEON

Транзистор IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
0.9 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF5802TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current0.9 A
Power dissipation2 W
КорпусTSOP6
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6

Документация

Документ производителя