Антава

VISHAY

Транзистор IRF540SPBF

IRF540SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
20A
Pulsed drain current
110A
Power dissipation
150W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF540SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current20A
Pulsed drain current110A
Power dissipation150W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance77mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W

Документация

Документ производителя