Антава

VISHAY

Транзистор IRF530SPBF

IRF530SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
56 A
Power dissipation
88 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF530SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current10 A
Pulsed drain current56 A
Power dissipation88 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W

Документация

Документ производителя