Антава

VISHAY

Транзистор IRF530PBF

IRF530PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
10A
Pulsed drain current
56A
Power dissipation
88W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF530PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current10A
Pulsed drain current56A
Power dissipation88W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.16Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge26nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W; TO220AB

Документация

Документ производителя