Антава

INFINEON

Транзистор IRF530NPBF

IRF530NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
17 A
Power dissipation
79 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF530NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current17 A
Power dissipation79 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB

Документация

Документ производителя