Антава

INFINEON

Транзистор IRF5305PBF

IRF5305PBF
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-55 V
Drain current
-31 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF5305PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-55 V
Drain current-31 A
Power dissipation110 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB

Документация

Документ производителя