INFINEON
Транзистор IRF5210STRLPBF
Фото недоступно- Type of transistor
- P-MOSFET
- Technology
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100V
- Drain current
- -40A
- Power dissipation
- 3.8W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF5210STRLPBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100V |
| Drain current | -40A |
| Power dissipation | 3.8W |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.