Антава

INFINEON

Транзистор IRF5210PBF

IRF5210PBF
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-40A
Power dissipation
200W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF5210PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-40A
Power dissipation200W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance60mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB

Документация

Документ производителя