Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IRF520NPBF

IRF520NPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
9.7A
Power dissipation
48W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF520NPBF
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current9.7A
Power dissipation48W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.2Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB

Документация

Документ производителя