Антава

VISHAY

Транзистор IRF510SPBF

IRF510SPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
4A
Pulsed drain current
20A
Power dissipation
43W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF510SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current4A
Pulsed drain current20A
Power dissipation43W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.54Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263

Документация

Документ производителя