Антава

VISHAY

Транзистор IRF510PBF

IRF510PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF510PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation43 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.54 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge8.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB

Документация

Документ производителя