INFINEON
Транзистор IRF4905PBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -55 V
- Drain current
- -74 A
- Power dissipation
- 200 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 072 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%513,10 ₽
Сумма · с НДС 22%513,10 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 513,10 ₽ | |
| от 3 | 424,44 ₽ | |
| от 10 | 322,57 ₽ | |
| от 25 | 264,10 ₽ | |
| от 50 | 235,80 ₽ | |
| от 100 | 216,94 ₽ | |
| от 150 | 207,50 ₽ | |
| от 250 | 198,07 ₽ | |
| от 500 | 192,41 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF4905PBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -55 V |
| Drain current | -74 A |
| Power dissipation | 200 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 20 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.12µC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.